События

29 ноября 2017 / Научная сессия ОФН РАН «Топологические состояния: что это и для чего?»

Конференц-зал ФИАН
начало в 14 часов

Научная сессия ОФН РАН 

«Топологические состояния:  что это и для чего?»

29 ноября 2017 года
Конференц-зал ФИАН
начало в 14 часов

1.     Тарасенко С.А.  (Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН)

Электронные свойства топологических изоляторов.

2.     Девятов Э.В.   (Институт физики твердого тела РАН)

Перенос заряда между сверхпроводником и краевым токонесущим состоянием в двумерной системе с инверсией зон.

3.     Волков В.А. (Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН)

Поверхностные состояния дираковских и вейлевских фермионов.

Примечание: Информацию о сессии можно прочитать на Web site ОФН РАН по адресу: www.gpad.ac.ru