1. Р.Н. Шахмуратов, Ф.Г. Вагизов.Спектроскопия сверхвысокого разрешения с применением метода задержанных фото-отсчетов
В докладе обсуждается метод увеличения спектрального разрешения мёссбауэровской спектроскопии, который позволяет преодолеть предел, накладываемый естественным уширением линии поглощения. Метод основан на использовании время задержанных совпадений фото-отсчетов. Обсуждаются механизмы уширения и сужения линии поглощения в методе задержанных фото-отсчетов. Показано, что сужение линии обязано интерференции падающего и когерентно рассеянного излучения. Приведены результаты экспериментальной демонстрации возможностей метода.
1. Г.Б. Тейтельбаум«Эффекты квантовой интерференции в проводящих свойствах топологических изоляторов»
Доклад посвящен обзору недавних результатов по физике топологических изоляторов, полученных в ходе совместных исследований экспериментаторами КФТИ им. Е.К. Завойского и ФИАН им. П.Н. Лебедева
2. К.М. Салихов.Информация о работе общего собрания РАН
Представлены результаты исследования структуры и магнитных свойств аморфного сплава 5БДСР на основе железа после облучения мощным импульсным ионным пучком с плотностью энергии до 7 Дж/см2 на ускорителе «ТЕМП». Проведены рентгеноструктурные, мёссбауэровские исследования и измерения магнитных свойств. Данные рентгеновской дифракции показывают, что в результате облучения сплав 5БДСР сохраняет рентгеноаморфную структуру как в объеме, так и на поверхности. По данным мёссбауэровской спектроскопии его магнитная текстура меняется. Измерения зависимостей относительной магнитной восприимчивости от внешнего поля показали улучшение магнитомягких свойств (научный доклад по гранту РФФИ № 19-03-00847).
Формирование сильно легированных донорной примесью слоев германия проведено путем имплантации монокристалла p-Ge ионами сурьмы (Sb) с последующим импульсным отжигом имплантированного слоя Ge:Sb мощными ионными пучками. Исследованы морфология поверхности, глубинные профили Sb, кристаллическая структура слоя, концентрация электрически активных атомов и фотолюминесценция слоев. Данные по глубинному распределению Sb сравнивались с результатами компьютерного моделирования и показали хорошее согласие. Полученные результаты свидетельствуют о высокой степени активации внедренной примеси Sb (вплоть до 100 %) и об усилении в сильно легированном слое прямозонной фотолюминесценции при 300 К с максимумом при 1.6 мкм (по материалам статьи в журнале АВТОМЕТРИЯ).
