1. В.В. Базаров, В.И. Нуждин, В.Ф. Валеев, Н.М. Лядов, А.Л. Степанов. Применение спектральной эллипсометрии для характеризации ионно-имплантированного кремния
Методом спектральной эллипсометрии исследовано накопление дефектов в приповерхностном слое монокристаллического кремния при облучении тяжелыми (на примере ионов серебра и кобальта) и лёгкими (на примере ионов кислорода и гелия) низкоэнергетичными ионами.
2. Р.Б. Зарипов, А.А. Суханов. Об участии в Third Joint Conference of the Asia-Pacific EPR/ESR Society and International EPR(ESR)
1. А.А. Баязитов, Я.В. Фаттахов, В.Е. Хундиряков. Разработка приемного датчика эллиптической формы для специализированного магнитно-резонансного томографа с полем 0.4 тесла Работа посвящена математическому расчету, разработке конструкции и измерению радиочастотных характеристик опытного образца приемного датчика для специализированного магнитно-резонансного томографа. Представлены результаты математического моделирования однородности поля для приемного датчика в зависимости от его конструктивных особенностей. Проведен сравнительный анализ результатов двух видов контуров: цилиндрической и эллиптической формы. По результатам моделирования собраны экспериментальные образцы приёмного датчика, и представлены результаты измерений их радиочастотных характеристик.
2. Б.Ф.Фаррахов, Я.В.Фаттахов, М.Ф.Галяутдинов. Оптическая дифракционная методика контроля твердофазной рекристаллизации и нагрева имплантированных полупроводников при импульсном световом отжиге
Обсуждаются результаты исследования динамики нагрева, твердофазной рекристаллизации и плавления имплантированного ионами P+ кремния непосредственно во время импульсного светового отжига, проведенные методом лазерной диагностики. Данная методика, основанная на регистрации дифракционной картины Фраунгофера от специальных периодических структур, позволяет с высоким временным разрешением исследовать структурно-фазовые переходы ионно-легированного слоя полупроводника одновременно с измерением температуры образца. Для этого, на поверхности кремниевой пластины предварительно формируются две измерительные дифракционные решетки: фазовая и амплитудная.
Процессы твердофазной рекристаллизации и плавления изучались по кинетике исчезновения и появления дифракционных максимумов от амплитудной решетки.
Температура образца отслеживалась по отклонению угла дифракции зондирующего лазерного луча от фазовой дифракционной решетки. Это отклонение вызвано изменением периода решетки вследствие ее теплового расширения
3. Р.Р. Гусева. Информация о расчетах по оплате труда.
4. К.М. Салихов.Итоги Международной конференции «Modern Development of Magnetic Resonance-2018».
1. Р.М.Еремина, Е.М.Мошкина, А.Р.Муфтахутдинов, И.Ф.Гильмутдинов, Н.М. Лядов.Магнитные свойства варвикита MnMgBO4.
Проведены измерения температурной зависимости магнитной восприимчивости в магнитных полях, приложенных параллельно и перпендикулярно оси с монокристалла MnMgBO4. Установлено, что ниже 16К наблюдается спиновое упорядочение характерное для антиферромагнетика с осью легкого намагничивания.
Рецензент А. Валидов
2. Р.М.Еремина. Информация о конференции JEMS 2018 Mainz Germany
3. К.М. Салихов.Информация о Международной конференции «Spin Physics, Spin Chemistry and Spin Technology” 4. Разное
1. К.М. Салихов, И.Т. Хайруждинов.Теоретическое исследование эффекта насыщения спектра ЭПР с учетом спектральной диффузии в системе с гауссовским распределением резонансных частот спинов.
В работе проведен анализ эффекта насыщения для модельной ситуации, когда набор резонансных частот спиновых пакетов описывается гауссовским распределением и когда имеет место спектральная диффузия, которая представляет собой случайный процесс без корреляции. Получена форма спектра при произвольных значениях магнитно-резонансных параметров: времен релаксации продольной и поперечной компонент вектора намагниченности системы, скорости спектральной диффузии и дисперсии гауссовского распределения резонансных частот и магнитной индукции СВЧ поля. Найдено аналитическое выражение для кривой насыщения спектра. Для оптимального случая, когда частота СВЧ поля совпадает со средней для гауссовского распределения резонансных частот, проведен детальный анализ зависимости кривой насыщения спектра. Найдено значение индукции СВЧ поля, при которой достигается наибольшее значение кривой насыщения, для произвольных значений времен парамагнитной релаксации, скорости спектральной диффузии и дисперсии гауссовского распределения частот спинов. Сформулирован алгоритм нахождения времени спин-решеточной релаксации, используя измеренную в эксперименте величину индукции СВЧ поля, при которой кривая насыщения проходит через максимум.
2. Выдвижение кандидатуры на премию им. Е.К. Завойского для молодых ученых
1. Сапожников Максим Викторович (Институт физики микроструктур РАН, Н. –Новгород) ЭФФЕКТЫ МАГНИТО- И ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ В КОЛЛЕКТИВНОМ ПОВЕДЕНИИ МИКРО И НАНОСИСТЕМ (диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук)
2. Разное
