1. Усеинов Ниязбек Хамзович ( доцент кафедры общей физики, Института физики, КФУ). Теория спин-поляризованной проводимости и магнитосопротивления в магнитных наногетероструктурах (по материалам докторской диссертации)
Представлены результаты исследований, проведённых автором в течение последних 15 лет. Тематика исследований охватывает круг проблем, связанных со спин-поляризованным транспортом при процессах перемагничивания в магнитных гетероструктурах наноразмерного масштаба, где различные ферромагнитные слои разделены металлами, полупроводниками или диэлектриками.
Объектами исследований являются наноструктуры: точечные контакты (спиновые клапаны), магнитные туннельные контакты, магнитные симметричные и несимметричные двухбарьерные гетероструктуры (туннельные переходы), туннельные контакты с наночастицами, которые в настоящее время при соответствующем оборудовании могут быть синтезированы. В представленной работе рассчитываются спинтронные эффекты, такие как гигантское магнитосопротивление (ГМС), баллистическое магнитосопротивление (БМС) с переворотом спина электрона проводимости, туннельное магнитосопротивление (ТМС) и перенос спинового момента (ПСМ) в наноструктурах с коллинеарным и неколлинеарным магнитным порядком.
1. Алексеев А.В., Гумаров Г.Г., Петухов В.Ю., Лис О.Н., Бакиров М.М."Роль температуры при формировании наведённой магнитной анизотропии в процессе ионно-лучевого синтеза силицидов железа"
Аннотация: Исследования методом ФМР были проведены для определения константы наведённой анизотропии и намагниченности насыщения для случая тонких плёнок силицида железа, полученных метдом ионно-лучевого синтеза во внешнем магнитном поле. Данные значения были использованы для расчётов в рамках предполагаемой модели наведённой магнитной анизотропии Нееля-Танигучи. Применимость данной модели подтверждается экспериментами по повороту направления намагниченности путём повторной имплантации с низкой дозой во внешнем магнитном поле. Для исследованных образцов характерна обратно-пропорциональная температурная зависимость константы магнитной анизотропии. Полагается, что одной из причин данной температурной зависимости является наличие микронапряжений на границе раздела с кремнием. Расчёт коэффициента диполь-дипольного взаимодействия учитывает, что процесс формирования наведённой анизотропии происходит при температурах достаточных для диффузии атомов, которые значительно превышают температуру подложки в процессе ИЛС. При этом в процессе имплантации в области каскада столкновений коэффициент атомной диффузии соответствует динамической температуре порядка 4000 К. Расчётное значение коэффициента диполь-дипольного взаимодействия системы Fe-Si в процессе ионной имплантации согласуется с результатами расчётов для магнитных сплавов с наведённой магнитной анизотропией.
Рецензент: Файзрахманов Ильдар Абдулкабирович
2. Выборы представителей КФТИ в Объединенный научный совет ФИЦ КазНЦ РАН
