1. И.И. Гумарова, Р.Ф. Мамин"Ab initio исследование гетероструктур на основе сегнетоэлектрических оксидов" (доклад по 2 статьям)
Аннотация
Изобретение диодов, транзисторов и микропроцессоров стало одним из ключевых технологических достижений прошлого столетия. Так, благодаря им, у всех нас есть смартфоны, пк и многие другие девайсы. Однако, сегодня дальнейший прогресс в этом направлении приостановился, или другими словами: рост производительности вышел на плато, поскольку было достигнуто пороговое значение размеров затвора транзистора, в 2 нм, ниже которого имеет место быть эффект квантового туннелирования электронов, мешающий работе транзисторов. В связи с этим задача поиска новых альтернативных материалов особо актуальна. И ключевым способом осуществления этого поиска является компьютерное моделирование, которое позволяет с высокой точностью прогнозировать структуру и свойства новый материалов.
С помощью этого метода, а именно с помощью теории функционала плотности, мы осуществляем поиск среди гетероструктур на основе оксидов переходных металлов, в том числе сегнетоэлектриков, с целью обнаружения интерфейсной проводимости, нетривиальных магнитных и оптических свойств. Так, в рамках доклада будут представлены результаты моделирования гетероструктур LaMnO3/BaTiO3 и Si/BaTiO3, а именно, их структурные, электронные и магнитные свойства.
Рецензент: Р. Шахмуратов
2. А.Л. Степанов. Создание и модификация слоев нанопористого германия при различных температурных условиях (обзор по публикациям)
1. Усеинов Ниязбек Хамзович ( доцент кафедры общей физики, Института физики, КФУ). Теория спин-поляризованной проводимости и магнитосопротивления в магнитных наногетероструктурах (по материалам докторской диссертации)
Представлены результаты исследований, проведённых автором в течение последних 15 лет. Тематика исследований охватывает круг проблем, связанных со спин-поляризованным транспортом при процессах перемагничивания в магнитных гетероструктурах наноразмерного масштаба, где различные ферромагнитные слои разделены металлами, полупроводниками или диэлектриками.
Объектами исследований являются наноструктуры: точечные контакты (спиновые клапаны), магнитные туннельные контакты, магнитные симметричные и несимметричные двухбарьерные гетероструктуры (туннельные переходы), туннельные контакты с наночастицами, которые в настоящее время при соответствующем оборудовании могут быть синтезированы. В представленной работе рассчитываются спинтронные эффекты, такие как гигантское магнитосопротивление (ГМС), баллистическое магнитосопротивление (БМС) с переворотом спина электрона проводимости, туннельное магнитосопротивление (ТМС) и перенос спинового момента (ПСМ) в наноструктурах с коллинеарным и неколлинеарным магнитным порядком.
1. Алексеев А.В., Гумаров Г.Г., Петухов В.Ю., Лис О.Н., Бакиров М.М."Роль температуры при формировании наведённой магнитной анизотропии в процессе ионно-лучевого синтеза силицидов железа"
Аннотация: Исследования методом ФМР были проведены для определения константы наведённой анизотропии и намагниченности насыщения для случая тонких плёнок силицида железа, полученных метдом ионно-лучевого синтеза во внешнем магнитном поле. Данные значения были использованы для расчётов в рамках предполагаемой модели наведённой магнитной анизотропии Нееля-Танигучи. Применимость данной модели подтверждается экспериментами по повороту направления намагниченности путём повторной имплантации с низкой дозой во внешнем магнитном поле. Для исследованных образцов характерна обратно-пропорциональная температурная зависимость константы магнитной анизотропии. Полагается, что одной из причин данной температурной зависимости является наличие микронапряжений на границе раздела с кремнием. Расчёт коэффициента диполь-дипольного взаимодействия учитывает, что процесс формирования наведённой анизотропии происходит при температурах достаточных для диффузии атомов, которые значительно превышают температуру подложки в процессе ИЛС. При этом в процессе имплантации в области каскада столкновений коэффициент атомной диффузии соответствует динамической температуре порядка 4000 К. Расчётное значение коэффициента диполь-дипольного взаимодействия системы Fe-Si в процессе ионной имплантации согласуется с результатами расчётов для магнитных сплавов с наведённой магнитной анизотропией.
Рецензент: Файзрахманов Ильдар Абдулкабирович
2. Выборы представителей КФТИ в Объединенный научный совет ФИЦ КазНЦ РАН
