1. Р.И. Баталов1, Р.М. Баязитов1, Г.А. Новиков1, А.Ф. Зацепин2, Д.А. Зацепин2, Д.В. Бухвалов2, Е.А. Бунтов2. Влияние импульсной ионной обработки на структуру и оптические свойства эпитаксиальных слоёв нитрида галлия (GaN) на подложке сапфира (Al2O3).
1 Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского, ФИЦ Казанский научный центр РАН, Казань, Россия 2 Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
Проведена импульсная обработка мощным ионным пучком эпитаксиальных слоёв GaN на подложке сапфира с целью изучения трансформации их структуры и оптических свойств. Применены методы рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, оптической спектроскопии и фотолюминесценции при 300 К. Установлено, что в результате импульсной ионной обработки в твердофазном режиме структура и состав поверхности слоя GaN не меняются, наблюдается снижение пропускания слоя, красный сдвиг края поглощения и значительное снижение интенсивности дефектной фотолюминесценции с максимумом при 560 нм (жёлтая полоса).
По материалам статей в журналах Applied Surface Science и AIP Conference proceedings (2022).
1. Софронова Светлана Николаевна.Обменные взаимодействия, эффекты реверсивной намагниченности и обменного смещения петель гистерезиса в замещенных медных и никелевых оксиборатах (по материалам докторской диссертации).
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук - обособленное подразделение ФИЦ КНЦ СО РАН
В рамках диссертационной работы теоретическими и экспериментальными методами исследуются физические свойства замещенных медных и никелевых оксиборатов со структурами котоита, людвигита, халсита.
В рамках полуэмпирического и первопринципного теоретических методов выполнено исследование магнитной структуры котоитов Co3B2O6
и Ni3B2O6, показана важность учета обменных взаимодействий второй координационной сферы.
В рамках теоретического полуэмпирического подхода показана зависимость магнитного упорядочения и магнитных свойств от распределения ионов железа и меди по кристаллографическим позициям в людвигите Cu2FeBO5. В новом соединении Cu2MnBO5 предложена магнитная структура, которая в рамках теоретического полуэмпирического подхода согласуется с экспериментальными исследованиями структурных и магнитных свойств.
Впервые обнаружено обменное смещение петель гистерезиса в людвигите Ni5GeB2O10, а в халсите Ni5.33Ta0.33B2O10
обнаружено знакопеременное обменное смещение петель гистерезиса. В людвигите Ni1.8Mn1.2BO5
и халсите Ni5.33Ta0.33B2O10
обнаружены эффекты обращения намагниченности. В рамках теоретического полуэмпирического подхода для людвигитов Ni3-хMnхBO5, Ni5GeB2O10
и халсита Ni5.33Ta0.33B2O10
предложены модели магнитного упорядочения, которые могут объяснить обнаруженные эффекты.
Научный руководитель: д.ф.-м.н., профессор Овчинников Сергей Геннадьевич
1. Лядов Н.М.Синтез нанокристаллических тонких плёнок оксида цинка ZnO и их модификация методом высокодозной ионной имплантации (по материалам кандидатской диссертации).
Представлены результаты исследований структуры, оптических и электрофизических свойств исходно-осаждённых тонких плёнок оксида цинка ZnO, полученных методом ионно-стимулированного осаждения, а также влияние на эти свойства режимов ионной имплантации серебра.
2. А. А. Камашев.Информационный отчет о перевозе из Дрездена и запуске в КФТИ напылительного оборудования для синтеза нанослойных систем с заданными свойствами.
1. И. И. Гимазов1, Ю. И. Таланов1, T. Adachi2, T. Noji3, Y. Koike3, K. Omori3, Y. Tanabe3, Д. А. Чареев4, А. Н. Васильев5. Микроволновой отклик на короткоживущие возбуждения в ВТСП материалах.
1 Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского, ФИЦ Казанский научный центр РАН, 420029 Казань, Россия 2 Departament of Engineering and Applied Sciences, Sophia University, 7-1 Kioi-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 102-8554, Japan 3 Department of Applied Physics, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan 4 Институт экспериментальной минералогии РАН, 142432, Черноголовка, Россия 5 Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, 119991
Флуктуации различных параметров порядка играют ключевую роль в понимании механизмов спаривания носителей в высокотемпературных сверхпроводниках. Для изучения флуктуационных процессов в нашей работе используется метод нерезонансного микроволнового поглощения. Сравнение данных, полученных на низких и высоких частотах, позволяет выделить вклад сверхпроводящих флуктуаций в соединении Bi2Sr2Ca1-xYxCu2O8, динамических волн зарядовый плотности - в La2-xSrxCuO4, магнитных флуктуаций двух типов - в FeTe1-xSex.
