1. Т.С. Шапошникова, Р. Ф. Мамин. Электрическая поляризация в малых частицах мультиферроиков.
В рамках феноменологического приближения получено неоднородное
вихревое распределение намагниченности в малых сферических
частицах мультиферроиков вблизи фазового перехода в магнитное состояние.
Найдена индуцированная намагниченностью электрическая поляризация.
Распределение получено для двух случаев - без магнитного поля и в слабом магнитном поле.
Рецензент: Р.Н Шахмуратов
2. Р.Н. Шахмуратов.Дробный эффект Тальбота
Приведены примеры реализации дробного эффекта Тальбота в Фурье оптике (пространственные эффекты) и Временной Оптике (временные эффекты).
На основе дробного эффекта Тальбота предложена схема создания импульсов из непрерывного излучения с помощью модуляции его фазы и последующего пропускания через волокно с дисперсией групповой скорости. Предлагаемый метод генерации отличается стабильностью времени возникновения импульсов, их формы и скважности, а также отсутствием фонового излучения между импульсами.
1. Д.А. Турайханов, Д.О. Акатьев, А.В. Васильев, Ф.М. Аблаев, А.А. Калачев.Квантовое хэширование на однофотонных состояниях с орбитальным угловым моментом.
Аннотация:
В данной работе мы создаем квантовый хэш через последовательность однофотонных состояний и реализуем его, используя кодирование орбитального углового момента. Мы экспериментально проверяем стойкость квантовой хеш-функции к столкновениям в зависимости от количества используемых кубитов. Основываясь на этих результатах, мы делаем вывод, что теоретические оценки подтверждены для различных базовых состояний орбитального углового момента и предлагаемый метод может быть полезен в вычислительных и криптографических сценариях. Возможность мультиплексирования различных базисов орбитального углового момента может сделать этот подход еще более эффективным.
(по статье принятой в печать D.A. Turaykhanov, D.O. Akat'ev, A.V. Vasiliev, F.M. Ablayev, A.A. Kalachev, Quantum hashing via single-photon states with orbital angular momentum, Physical Review A)
1. Кандрашкин Ю.Е.Усиление интеркомбинационных переходов хромофора за счет резонансного переноса энергии на удалённый спин (по статье Kandrashkin, Yuri E., and Art van der Est. 2021. “Enhanced Intersystem Crossing Due to Resonant Energy Transfer to a Remote Spin.” The Journal of Physical Chemistry Letters 12 (30): 7312–18. https://doi.org/10.1021/acs.jpclett.1c02032.)
Предложен новый механизм интеркомбинационных переходов (ИКП) в связанных трехспиновых системах, состоящих из хромофора и присоединенного радикала. Показано, что энергия возбужденного состояния хромомфора может перейти на радикал, при наличии спин-орбитального взаимодействия радикала и разных значений обменного парамагнитной частицы с двумя неспаренными электронами хромофора. Этот перенос энергии сопровождается синглет-триплетным ИКП на хромофоре. Эффективность этого процесса резко возрастает, когда энергия электронного возбуждения радикала близка к расщеплению состояний S1-T1 хромофора. Обсуждаются системы, в которых может проявиться этот механизм.
Экспериментально изучены фотофизические свойства ряда «закрученных» молекул- хромофоров. Обсуждаются возможные механизмы поляризации электронных спинов возбужденных триплетов и влияние геометрии молекул на эффективность интеркомбинационных переходов S1-T1.
1. И.И. Гумарова, Р.Ф. Мамин"Ab initio исследование гетероструктур на основе сегнетоэлектрических оксидов" (доклад по 2 статьям)
Аннотация
Изобретение диодов, транзисторов и микропроцессоров стало одним из ключевых технологических достижений прошлого столетия. Так, благодаря им, у всех нас есть смартфоны, пк и многие другие девайсы. Однако, сегодня дальнейший прогресс в этом направлении приостановился, или другими словами: рост производительности вышел на плато, поскольку было достигнуто пороговое значение размеров затвора транзистора, в 2 нм, ниже которого имеет место быть эффект квантового туннелирования электронов, мешающий работе транзисторов. В связи с этим задача поиска новых альтернативных материалов особо актуальна. И ключевым способом осуществления этого поиска является компьютерное моделирование, которое позволяет с высокой точностью прогнозировать структуру и свойства новый материалов.
С помощью этого метода, а именно с помощью теории функционала плотности, мы осуществляем поиск среди гетероструктур на основе оксидов переходных металлов, в том числе сегнетоэлектриков, с целью обнаружения интерфейсной проводимости, нетривиальных магнитных и оптических свойств. Так, в рамках доклада будут представлены результаты моделирования гетероструктур LaMnO3/BaTiO3 и Si/BaTiO3, а именно, их структурные, электронные и магнитные свойства.
Рецензент: Р. Шахмуратов
2. А.Л. Степанов. Создание и модификация слоев нанопористого германия при различных температурных условиях (обзор по публикациям)
